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MJ15001

MJ15001

Nur als Referenz

Teilenummer MJ15001
PNEDA Teilenummer MJ15001
Beschreibung TRANS NPN 140V 15A TO-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MJ15001 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJ15001
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJ15001, MJ15001 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 108,42 KB)
PDFMJ15002G Datenblatt Cover
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MJ15001 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)140V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 4A, 2V
Leistung - max200W
Frequenz - Übergang2MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-204 (TO-3)

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

650MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G3-B

2SB1204S-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

TP

BC848CWT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

PBHV9414ZX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 400mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Leistung - max

650mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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