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MIXA100W1200TEH

MIXA100W1200TEH

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA100W1200TEH
PNEDA Teilenummer MIXA100W1200TEH
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 108A HEX
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MIXA100W1200TEH Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA100W1200TEH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA100W1200TEH, MIXA100W1200TEH Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 345,01 KB)
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MIXA100W1200TEH Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)155A
Leistung - max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)300µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE3
LieferantengerätepaketE3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP10R12KE3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

1MS08017E32W31490NOSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

PrimeSTACK™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2560A

Leistung - max

5600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GB100XCP12-227

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.55nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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