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MITA10WB1200TMH

MITA10WB1200TMH

Nur als Referenz

Teilenummer MITA10WB1200TMH
PNEDA Teilenummer MITA10WB1200TMH
Beschreibung MODULE IGBT CBI
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MITA10WB1200TMH Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMITA10WB1200TMH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MITA10WB1200TMH, MITA10WB1200TMH Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 439,83 KB)
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MITA10WB1200TMH Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypTrench
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)17A
Leistung - max70W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)600µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.6nF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMiniPack2
LieferantengerätepaketMiniPack2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1400A

Leistung - max

955000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 1400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT600U170D4G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1100A

Leistung - max

2900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

51nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D4

Lieferantengerätepaket

D4

APTGF165DA60D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

230A

Leistung - max

730W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

APT45GP120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.94nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26A

Leistung - max

83.5W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

880pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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