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MIC4480YME-TR

MIC4480YME-TR

Nur als Referenz

Teilenummer MIC4480YME-TR
PNEDA Teilenummer MIC4480YME-TR
Beschreibung IC MOSFET DVR 32V NONINV 8SOIC
Hersteller Microchip Technology
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MIC4480YME-TR Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIC4480YME-TR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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MIC4480YME-TR Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 32V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2.5A, 2.5A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)120ns, 45ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-SOIC-EP

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Hersteller

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.25V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 6A

Eingabetyp

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 6ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 17V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO PowerPad

ISL6605IR

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-QFN (3x3)

IR2114SSTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

11.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

24ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

24-SSOP

ISL6614AIR-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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