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MHE1003NR3

MHE1003NR3

Nur als Referenz

Teilenummer MHE1003NR3
PNEDA Teilenummer MHE1003NR3
Beschreibung RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Hersteller NXP
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MHE1003NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMHE1003NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MHE1003NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.4GHz ~ 2.5GHz
Gewinn14.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung53dBm
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallOM-780-2
LieferantengerätepaketOM-780-2

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Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

125V

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M177

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

920MHz

Gewinn

19.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

18.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

864mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-1271-3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

500MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-61AA

Lieferantengerätepaket

SMQ

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.09GHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

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