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MHE1003NR3

MHE1003NR3

Nur als Referenz

Teilenummer MHE1003NR3
PNEDA Teilenummer MHE1003NR3
Beschreibung RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Hersteller NXP
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MHE1003NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMHE1003NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MHE1003NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.4GHz ~ 2.5GHz
Gewinn14.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung53dBm
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallOM-780-2
LieferantengerätepaketOM-780-2

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Hersteller

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

17dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

8W

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Serie

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Transistortyp

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Gewinn

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Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

5mA

Leistung - Leistung

12dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

920MHz

Gewinn

19.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

OM-780-2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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