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MG1250S-BA1MM

MG1250S-BA1MM

Nur als Referenz

Teilenummer MG1250S-BA1MM
PNEDA Teilenummer MG1250S-BA1MM
Beschreibung IGBT 1200V 80A 500W PKG S
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 8.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MG1250S-BA1MM Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMG1250S-BA1MM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MG1250S-BA1MM, MG1250S-BA1MM Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.776,6 KB)
PDFMG1250S-BA1MM Datenblatt Cover
MG1250S-BA1MM Datenblatt Seite 2 MG1250S-BA1MM Datenblatt Seite 3 MG1250S-BA1MM Datenblatt Seite 4 MG1250S-BA1MM Datenblatt Seite 5 MG1250S-BA1MM Datenblatt Seite 6

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MG1250S-BA1MM Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Leistung - max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 50A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.29nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallS-3 Module
LieferantengerätepaketS3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FS100R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

335W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150DH170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250A

Leistung - max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FS400R12A2T4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGV25H120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Boost Chopper, Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

156W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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