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MDD56-18N1B

MDD56-18N1B

Nur als Referenz

Teilenummer MDD56-18N1B
PNEDA Teilenummer MDD56-18N1B
Beschreibung DIODE MODULE 1.8KV 95A TO240AA
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $258,1633
50 ---------- $246,0619
100 ---------- $233,9605
200 ---------- $221,8591
400 ---------- $211,7746
500 ---------- $201,6901
Auf Lager 1.986
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MDD56-18N1B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMDD56-18N1B
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MDD56-18N1B, MDD56-18N1B Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 423,95 KB)
PDFMDD56-18N1B Datenblatt Cover
MDD56-18N1B Datenblatt Seite 2 MDD56-18N1B Datenblatt Seite 3 MDD56-18N1B Datenblatt Seite 4 MDD56-18N1B Datenblatt Seite 5 MDD56-18N1B Datenblatt Seite 6

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MDD56-18N1B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)95A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.48V @ 200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10mA @ 1800V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-240AA
LieferantengerätepaketTO-240AA

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.85V @ 500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500A @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

Lieferantengerätepaket

TO-244AB

APT2X30D40J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

32ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FEP16FTD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

SBR30300CTFP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.03V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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