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MDD220-12N1

MDD220-12N1

Nur als Referenz

Teilenummer MDD220-12N1
PNEDA Teilenummer MDD220-12N1
Beschreibung DIODE MODULE 1.2KV 270A Y2-DCB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MDD220-12N1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMDD220-12N1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MDD220-12N1, MDD220-12N1 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 117,81 KB)
PDFMDD220-18N1 Datenblatt Cover
MDD220-18N1 Datenblatt Seite 2 MDD220-18N1 Datenblatt Seite 3 MDD220-18N1 Datenblatt Seite 4

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MDD220-12N1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)270A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 600A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr40mA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY2-DCB
LieferantengerätepaketY2-DCB

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

740mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

135V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.03V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 135V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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TO-244AB

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

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