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MDD175-28N1

MDD175-28N1

Nur als Referenz

Teilenummer MDD175-28N1
PNEDA Teilenummer MDD175-28N1
Beschreibung DIODE MODULE 2.8KV 240A Y1-CU
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.274
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MDD175-28N1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMDD175-28N1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MDD175-28N1, MDD175-28N1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 259,4 KB)
PDFMDD175-28N1 Datenblatt Cover
MDD175-28N1 Datenblatt Seite 2 MDD175-28N1 Datenblatt Seite 3 MDD175-28N1 Datenblatt Seite 4 MDD175-28N1 Datenblatt Seite 5

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MDD175-28N1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)2800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)240A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.07V @ 200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 2800V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY1-CU
LieferantengerätepaketY1-CU

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

UGB18DCT-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

18A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

BAT 15-07LRH E6327

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

110mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

410mV @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-4-7

MBR2X120A150

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

RB088NS100FHTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

870mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

11.8ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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