MD2219A
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| Teilenummer | MD2219A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MD2219A | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANS 2NPN 30V 0.5A TO-78 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.703 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MD2219A Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MD2219A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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MD2219A Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 120mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 500mA, 2V Leistung - max 510mW Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-HUSON-EP (2x2) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 16-CDIP |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 2V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 420MHz, 280MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN, PNP (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
