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MCT2E

MCT2E

Nur als Referenz

Teilenummer MCT2E
PNEDA Teilenummer MCT2E_6B
Beschreibung OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 45.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MCT2E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCT2E
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
MCT2E, MCT2E Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 211,95 KB)
PDFMCT271M Datenblatt Cover
MCT271M Datenblatt Seite 2 MCT271M Datenblatt Seite 3 MCT271M Datenblatt Seite 4 MCT271M Datenblatt Seite 5 MCT271M Datenblatt Seite 6 MCT271M Datenblatt Seite 7 MCT271M Datenblatt Seite 8 MCT271M Datenblatt Seite 9 MCT271M Datenblatt Seite 10 MCT271M Datenblatt Seite 11

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MCT2E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)1.1µs, 50µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)30V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.25V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)100mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

25µs, 18µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

TLP559(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

15V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.65V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

MOC223R1VM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3.5µs, 95µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.08V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

CEL

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

260% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

30mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

H11AA814300W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2.4µs, 2.4µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

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