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MCP14E9-E/P

MCP14E9-E/P

Nur als Referenz

Teilenummer MCP14E9-E/P
PNEDA Teilenummer MCP14E9-E-P
Beschreibung IC MOSFET DRIVER 3A 8DIP
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 7.200
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MCP14E9-E/P Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCP14E9-E/P
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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MCP14E9-E/P Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)3A, 3A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)14ns, 17ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Hersteller

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Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

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2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 22V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 4.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.76V, 1.89V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

107V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 1.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

MIC4422CT

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 24ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

TC427COA

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

30ns, 30ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MIC4424BWM TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

28ns, 32ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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16-SOIC

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