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MCO150-12IO1

MCO150-12IO1

Nur als Referenz

Teilenummer MCO150-12IO1
PNEDA Teilenummer MCO150-12IO1
Beschreibung MOD THYRISTOR SGL 1200V SOT-227B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.210
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MCO150-12IO1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCO150-12IO1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
MCO150-12IO1, MCO150-12IO1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 719,03 KB)
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MCO150-12IO1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)149A
Current - On State (It (RMS)) (max.)234A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)1.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)2000A, 2150A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

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IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

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Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

221A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

400A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8000A, 8500A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y1-CU

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

28A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

65mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

300A, 330A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

FO-F-A

T4051N85TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

-

Anzahl der SCRs, Dioden

-

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

VS-VSKN56/08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1200A, 1256A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

VS-VSKN56/06

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1200A, 1256A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

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