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MCH6544-TL-E

MCH6544-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer MCH6544-TL-E
PNEDA Teilenummer MCH6544-TL-E
Beschreibung TRANS 2NPN 50V 0.5A 6MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 27.816
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MCH6544-TL-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH6544-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MCH6544-TL-E, MCH6544-TL-E Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 526,08 KB)
PDFMCH6544-TL-E Datenblatt Cover
MCH6544-TL-E Datenblatt Seite 2 MCH6544-TL-E Datenblatt Seite 3 MCH6544-TL-E Datenblatt Seite 4 MCH6544-TL-E Datenblatt Seite 5 MCH6544-TL-E Datenblatt Seite 6 MCH6544-TL-E Datenblatt Seite 7

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MCH6544-TL-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic100mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce800 @ 10mA, 2V
Leistung - max550mW
Frequenz - Übergang500MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket6-MCPH

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

480mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 2V

Leistung - max

510mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-HUSON-EP (2x2)

SG2013J-883B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.9V @ 600µA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

900 @ 500mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

16-CDIP

EMZ7T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 10mA, 2V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

320MHz, 260MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

BC846S/DG/B3F

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

L6221AD013TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 1.8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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