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MCH6541-TL-E

MCH6541-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer MCH6541-TL-E
PNEDA Teilenummer MCH6541-TL-E
Beschreibung TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.876
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MCH6541-TL-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH6541-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MCH6541-TL-E, MCH6541-TL-E Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 572,55 KB)
PDFMCH6541-TL-E Datenblatt Cover
MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 2 MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 3 MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 4 MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 5 MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 6 MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 7 MCH6541-TL-E Datenblatt Seite 8

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MCH6541-TL-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)700mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 50mA, 2V / 200 @ 10mA, 2V
Leistung - max550mW
Frequenz - Übergang540MHZ, 520MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket6-MCPH

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 1V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

TO-116

MMDT3904Q-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

BC858CDW1T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

ULN2003A

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-DIP

2N2920A

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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