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MCH5541-TL-E

MCH5541-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer MCH5541-TL-E
PNEDA Teilenummer MCH5541-TL-E
Beschreibung TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MCH5541-TL-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH5541-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MCH5541-TL-E, MCH5541-TL-E Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 49,53 KB)
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MCH5541-TL-E Datenblatt Seite 2 MCH5541-TL-E Datenblatt Seite 3 MCH5541-TL-E Datenblatt Seite 4 MCH5541-TL-E Datenblatt Seite 5

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MCH5541-TL-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)700mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 50mA, 2V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang540MHZ, 520MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Lieferantengerätepaket5-MCPH

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

320mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Leistung - max

370mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA / 600mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V / 120 @ 150mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

150MHz, 130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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IMX5T108

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

11V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

3.2GHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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