MCH3376-TL-E
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| Teilenummer | MCH3376-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | MCH3376-TL-E |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.406 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCH3376-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCH3376-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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MCH3376-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 241mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-MCPH |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 140mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Vgs (Max) 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125mW (Ta) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TLM3D6D8 Paket / Fall 3-XFDFN |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 158A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 294W Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SOT-1023, 4-LFPAK |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 310mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 115mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 370mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller IXYS Serie TrenchMV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 152A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 360W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
