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MCD56-12IO8B

MCD56-12IO8B

Nur als Referenz

Teilenummer MCD56-12IO8B
PNEDA Teilenummer MCD56-12IO8B
Beschreibung MOD THYRISTOR/DIO 1200V TO-240AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.456
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MCD56-12IO8B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCD56-12IO8B
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
MCD56-12IO8B, MCD56-12IO8B Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 449,17 KB)
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MCD56-12IO8B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)64A
Current - On State (It (RMS)) (max.)100A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)1.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)100mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)1500A, 1600A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-240AA

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

115A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

180A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1700A, 1800A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

VS-VSKK230-20PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Common Cathode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

230A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

510A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7500A, 7850A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

TD570N16KOFHPSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

600A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

900A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

17000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

TD285N16KOFHPSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

285A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

520A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

12500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

IRKH91/10A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

210A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1785A, 1870A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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