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MCC19-16IO8B

MCC19-16IO8B

Nur als Referenz

Teilenummer MCC19-16IO8B
PNEDA Teilenummer MCC19-16IO8B
Beschreibung MOD THYRISTOR DUAL 1600V TO240AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MCC19-16IO8B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCC19-16IO8B
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
MCC19-16IO8B, MCC19-16IO8B Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 647,62 KB)
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MCC19-16IO8B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand1.6kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)25A
Current - On State (It (RMS)) (max.)40A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)1.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)100mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)400A, 420A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-240AA

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3500A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

5600A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

44200A, 48000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AE Variation

PD420807

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

63000A, 69000A

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

4120A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

4860A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

82000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

T4051N85TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

-

Anzahl der SCRs, Dioden

-

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

115A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1300A, 1360A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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