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MBRH20030L

MBRH20030L

Nur als Referenz

Teilenummer MBRH20030L
PNEDA Teilenummer MBRH20030L
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 3.526
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBRH20030L Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRH20030L
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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MBRH20030L Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If580mV @ 200A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr3mA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD-67
LieferantengerätepaketD-67
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

6.6pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

V8PM10HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

UH2BHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

12TQ035STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.75mA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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