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MBRD660CTT4G

MBRD660CTT4G

Nur als Referenz

Teilenummer MBRD660CTT4G
PNEDA Teilenummer MBRD660CTT4G
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $3,1608
250 ---------- $3,0127
500 ---------- $2,8645
1.000 ---------- $2,7163
2.500 ---------- $2,5929
5.000 ---------- $2,4694
Auf Lager 10.991
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MBRD660CTT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRD660CTT4G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBRD660CTT4G, MBRD660CTT4G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 168,4 KB)
PDFMBRD620CTT4 Datenblatt Cover
MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 2 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 3 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 4 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 5 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 6 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 7 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 8

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MBRD660CTT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If700mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 60V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 75V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

690mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

36A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 1600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

MBR3040FCTE3/TU

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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TO-220-3

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