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MBRB760HE3_A/P

MBRB760HE3_A/P

Nur als Referenz

Teilenummer MBRB760HE3_A/P
PNEDA Teilenummer MBRB760HE3_A-P
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBRB760HE3_A/P Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRB760HE3_A/P
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MBRB760HE3_A/P, MBRB760HE3_A/P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 123,43 KB)
PDFMBRB750HE3_A/I Datenblatt Cover
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MBRB760HE3_A/P Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)7.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If750mV @ 7.5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

12µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SIDC19D60SIC3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RSX301LAM30TFTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

PMDTM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

2A06GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RFU02VSM8STR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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150°C (Max)

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