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MBRB25H60CT-E3/45

MBRB25H60CT-E3/45

Nur als Referenz

Teilenummer MBRB25H60CT-E3/45
PNEDA Teilenummer MBRB25H60CT-E3-45
Beschreibung DIODE SCHOTTKY TO-263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBRB25H60CT-E3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRB25H60CT-E3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBRB25H60CT-E3/45, MBRB25H60CT-E3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 142,25 KB)
PDFMBRF25H50CTHE3/45 Datenblatt Cover
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MBRB25H60CT-E3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie*
Diodenkonfiguration-
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodenkonfiguration

3 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300nA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SMini6-F3-B

SR20200-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

MBRD660CTG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

MBR2X160A120

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

160A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 160A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 120V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

BAT5406WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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