MBR5200VPTR-E1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MBR5200VPTR-E1 |
| PNEDA Teilenummer | MBR5200VPTR-E1 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.574 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBR5200VPTR-E1 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBR5200VPTR-E1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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MBR5200VPTR-E1 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-27 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 6A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 6A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 120µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 219pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 45A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.14V @ 45A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 171A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20mA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket BG-PB34-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 135°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 16A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
