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MBR50080CTR

MBR50080CTR

Nur als Referenz

Teilenummer MBR50080CTR
PNEDA Teilenummer MBR50080CTR
Beschreibung DIODE MODULE 80V 500A 2TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR50080CTR Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR50080CTR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR50080CTR, MBR50080CTR Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 687,5 KB)
PDFMBR50080CTR Datenblatt Cover
MBR50080CTR Datenblatt Seite 2 MBR50080CTR Datenblatt Seite 3

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MBR50080CTR Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypSchottky, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)500A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If880mV @ 250A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTwin Tower
LieferantengerätepaketTwin Tower

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PW

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

25V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

12.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 12.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

900µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

LQA60A300C

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Hersteller

Power Integrations

Serie

Qspeed™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.95V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

13.7ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

MBRT30045RL

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

110A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

480mV @ 110A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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