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MBR50080CT

MBR50080CT

Nur als Referenz

Teilenummer MBR50080CT
PNEDA Teilenummer MBR50080CT
Beschreibung DIODE MODULE 80V 500A 2TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR50080CT Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR50080CT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR50080CT, MBR50080CT Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 687,5 KB)
PDFMBR50080CTR Datenblatt Cover
MBR50080CTR Datenblatt Seite 2 MBR50080CTR Datenblatt Seite 3

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MBR50080CT Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)500A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If880mV @ 250A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTwin Tower
LieferantengerätepaketTwin Tower

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 1600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

MBR30H100CTF-E1

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4.5µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3

MBR2590CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 25A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

DD1200S12H4

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.35V @ 1200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

475A @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-IHMB130-2

STPS41H100CTY

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

670mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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