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MBR2H200SFT3G

MBR2H200SFT3G

Nur als Referenz

Teilenummer MBR2H200SFT3G
PNEDA Teilenummer MBR2H200SFT3G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $23,6137
100 ---------- $22,5068
250 ---------- $21,3999
500 ---------- $20,2930
750 ---------- $19,3706
1.000 ---------- $18,4482
Auf Lager 26.096
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MBR2H200SFT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR2H200SFT3G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MBR2H200SFT3G, MBR2H200SFT3G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 140,63 KB)
PDFMBR2H200SFT1G Datenblatt Cover
MBR2H200SFT1G Datenblatt Seite 2 MBR2H200SFT1G Datenblatt Seite 3 MBR2H200SFT1G Datenblatt Seite 4 MBR2H200SFT1G Datenblatt Seite 5 MBR2H200SFT1G Datenblatt Seite 6

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MBR2H200SFT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If940mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123F
LieferantengerätepaketSOD-123FL
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

VS-150UR100D

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.47V @ 600A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

EU01V0

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 250mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

V30100SHM3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

350µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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