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MBR25H35CTHE3/45

MBR25H35CTHE3/45

Nur als Referenz

Teilenummer MBR25H35CTHE3/45
PNEDA Teilenummer MBR25H35CTHE3-45
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.858
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MBR25H35CTHE3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR25H35CTHE3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR25H35CTHE3/45, MBR25H35CTHE3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 142,25 KB)
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MBR25H35CTHE3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If640mV @ 15A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 35V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

500A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 250A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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STMicroelectronics

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

725mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

SDT20100VCT

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Diodes Incorporated

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Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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