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MBR2060CT

MBR2060CT

Nur als Referenz

Teilenummer MBR2060CT
PNEDA Teilenummer MBR2060CT_36
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.632
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR2060CT Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR2060CT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR2060CT, MBR2060CT Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 234,44 KB)
PDFMBRF2060CT-LJ Datenblatt Cover
MBRF2060CT-LJ Datenblatt Seite 2 MBRF2060CT-LJ Datenblatt Seite 3 MBRF2060CT-LJ Datenblatt Seite 4 MBRF2060CT-LJ Datenblatt Seite 5 MBRF2060CT-LJ Datenblatt Seite 6

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MBR2060CT Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 60V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

573A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.71V @ 1200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 2800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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Module

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Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

75A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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