MBR2050CTHC0G
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| Teilenummer | MBR2050CTHC0G |
| PNEDA Teilenummer | MBR2050CTHC0G |
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO220AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.500 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBR2050CTHC0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBR2050CTHC0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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MBR2050CTHC0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 640mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 8A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 300A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 8mA @ 35V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-244AB Lieferantengerätepaket TO-244AB |
Hersteller IXYS Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 950A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 18µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 800A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 780A @ 900V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
