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MBR1060CTF-G1

MBR1060CTF-G1

Nur als Referenz

Teilenummer MBR1060CTF-G1
PNEDA Teilenummer MBR1060CTF-G1
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR1060CTF-G1 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR1060CTF-G1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR1060CTF-G1, MBR1060CTF-G1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 473,18 KB)
PDFMBR1060CTF-G1 Datenblatt Cover
MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 2 MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 3 MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 4 MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 5 MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 6 MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 7 MBR1060CTF-G1 Datenblatt Seite 8

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MBR1060CTF-G1 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If750mV @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 60V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F-3

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Micro Commercial Co

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

MBRF20060

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-244AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 135°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

280µA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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