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MBR10100CT-E1

MBR10100CT-E1

Nur als Referenz

Teilenummer MBR10100CT-E1
PNEDA Teilenummer MBR10100CT-E1
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 100V 5A ITO220S
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.706
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR10100CT-E1 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR10100CT-E1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR10100CT-E1, MBR10100CT-E1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 478,63 KB)
PDFMBR10100CT Datenblatt Cover
MBR10100CT Datenblatt Seite 2 MBR10100CT Datenblatt Seite 3 MBR10100CT Datenblatt Seite 4 MBR10100CT Datenblatt Seite 5 MBR10100CT Datenblatt Seite 6 MBR10100CT Datenblatt Seite 7 MBR10100CT Datenblatt Seite 8 MBR10100CT Datenblatt Seite 9 MBR10100CT Datenblatt Seite 10 MBR10100CT Datenblatt Seite 11

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MBR10100CT-E1 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If850mV @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 100V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 120V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

TRS16N65D,S1F

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

90µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

180ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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