MBD330DWT1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MBD330DWT1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MBD330DWT1G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF DIODE SCHOTTKY 30V 120MW SC88 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 10.508 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MBD330DWT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBD330DWT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Dioden - RF |
| Datenblatt |
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MBD330DWT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
| Strom - max | - |
| Kapazität @ Vr, F. | 1.5pF @ 15V, 1MHz |
| Widerstand @ If, F. | - |
| Verlustleistung (max.) | 120mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Diodentyp PIN - 1 Pair Series Connection Spannung - Peak Reverse (Max) 175V Strom - max 100mA Kapazität @ Vr, F. 0.35pF @ 20V, 1MHz Widerstand @ If, F. 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz Verlustleistung (max.) 250mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Diodentyp Schottky - Single Spannung - Peak Reverse (Max) 15V Strom - max 20mA Kapazität @ Vr, F. 1.2pF @ 0V, 1MHz Widerstand @ If, F. - Verlustleistung (max.) 250mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket - |
