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MBD101G

MBD101G

Nur als Referenz

Teilenummer MBD101G
PNEDA Teilenummer MBD101G
Beschreibung RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBD101G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBD101G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF
Datenblatt
MBD101G, MBD101G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 90,31 KB)
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MBD101G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky - Single
Spannung - Peak Reverse (Max)7V
Strom - max-
Kapazität @ Vr, F.1pF @ 0V, 1MHz
Widerstand @ If, F.-
Verlustleistung (max.)280mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Paket / FallTO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
LieferantengerätepaketTO-92

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-

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Kapazität @ Vr, F.

0.35pF @ 5V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

2.5Ohm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

500mW

Betriebstemperatur

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-

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Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

0.3pF @ 50V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

250mW

Betriebstemperatur

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-

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PIN - 1 Pair Common Cathode

Spannung - Peak Reverse (Max)

150V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

0.35pF @ 20V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 2 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

70V

Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

35Ohm @ 5mA, 1MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

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SOT-363

BAR9002LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

80V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

0.35pF @ 1V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

800mOhm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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