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MB85RS64TPN-G-AMEWE1

MB85RS64TPN-G-AMEWE1

Nur als Referenz

Teilenummer MB85RS64TPN-G-AMEWE1
PNEDA Teilenummer MB85RS64TPN-G-AMEWE1
Beschreibung 64KBIT FRAM WITH SPI 1.8-3.6V
Hersteller Fujitsu Electronics
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Auf Lager 6.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Ressourcen

Marke Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMB85RS64TPN-G-AMEWE1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MB85RS64TPN-G-AMEWE1, MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 1.621,74 KB)
PDFMB85RS64TPN-G-AMEWE1 Datenblatt Cover
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MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Technische Daten

HerstellerFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-SON

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

IS43TR81280B-15GBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-TWBGA (8x10.5)

CY7C1021B-12VXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

CY7C1021BNV33L-15VXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

IDT71V3558SA200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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