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MB85RC512TPNF-G-JNERE1

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

Nur als Referenz

Teilenummer MB85RC512TPNF-G-JNERE1
PNEDA Teilenummer MB85RC512TPNF-G-JNERE1
Beschreibung IC FRAM 512K I2C 3.4MHZ 8SOP
Hersteller Fujitsu Electronics
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Ressourcen

Marke Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMB85RC512TPNF-G-JNERE1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MB85RC512TPNF-G-JNERE1, MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Datenblatt (Total Pages: 36, Größe: 1.870,06 KB)
PDFMB85RC512TPNF-G-JNERE1 Datenblatt Cover
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Technische Daten

HerstellerFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße512Kb (64K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz3.4MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit130ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Gb (64G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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