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MB85RC256VPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

Nur als Referenz

Teilenummer MB85RC256VPNF-G-JNERE1
PNEDA Teilenummer MB85RC256VPNF-G-JNERE1
Beschreibung IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOP
Hersteller Fujitsu Electronics
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MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Ressourcen

Marke Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMB85RC256VPNF-G-JNERE1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Technische Daten

HerstellerFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 3.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

162-VFBGA

Lieferantengerätepaket

162-VFBGA (10.5x8)

AS4C64M16D3A-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-VFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QUAD

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (15x17)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256b (16 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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