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MB85RC128APNF-G-JNE1

MB85RC128APNF-G-JNE1

Nur als Referenz

Teilenummer MB85RC128APNF-G-JNE1
PNEDA Teilenummer MB85RC128APNF-G-JNE1
Beschreibung IC FRAM 128K I2C 1MHZ 8SOP
Hersteller Fujitsu Electronics
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MB85RC128APNF-G-JNE1 Ressourcen

Marke Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMB85RC128APNF-G-JNE1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MB85RC128APNF-G-JNE1, MB85RC128APNF-G-JNE1 Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 1.244,17 KB)
PDFMB85RC128APNF-G-JNE1 Datenblatt Cover
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MB85RC128APNF-G-JNE1 Technische Daten

HerstellerFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße128Kb (16K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Technologie

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Speichergröße

64Gb (1G x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

16Gb (1G x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

19ns

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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