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MAX5064BATC+T

MAX5064BATC+T

Nur als Referenz

Teilenummer MAX5064BATC+T
PNEDA Teilenummer MAX5064BATC-T
Beschreibung IC MOSFET DRIVER 12-TQFN
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MAX5064BATC+T Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAX5064BATC+T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
MAX5064BATC+T, MAX5064BATC+T Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 404,58 KB)
PDFMAX5063DASA+T Datenblatt Cover
MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 2 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 3 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 4 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 5 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 6 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 7 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 8 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 9 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 10 MAX5063DASA+T Datenblatt Seite 11

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MAX5064BATC+T Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung8V ~ 12.6V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)125V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)65ns, 65ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-WQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket12-TQFN (4x4)

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

98-0255

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5.25V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

108V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

NCD5703CDR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

7.8A, 6.8A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9.2ns, 7.9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4420EOA713

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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