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MAT12AHZ

MAT12AHZ

Nur als Referenz

Teilenummer MAT12AHZ
PNEDA Teilenummer MAT12AHZ
Beschreibung TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6
Hersteller Analog Devices
Stückpreis
1 ---------- $279,4129
50 ---------- $266,3154
100 ---------- $253,2179
200 ---------- $240,1204
400 ---------- $229,2059
500 ---------- $218,2913
Auf Lager 90
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MAT12AHZ Ressourcen

Marke Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAT12AHZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MAT12AHZ, MAT12AHZ Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 260,14 KB)
PDFMAT12AHZ Datenblatt Cover
MAT12AHZ Datenblatt Seite 2 MAT12AHZ Datenblatt Seite 3 MAT12AHZ Datenblatt Seite 4 MAT12AHZ Datenblatt Seite 5 MAT12AHZ Datenblatt Seite 6 MAT12AHZ Datenblatt Seite 7 MAT12AHZ Datenblatt Seite 8 MAT12AHZ Datenblatt Seite 9 MAT12AHZ Datenblatt Seite 10 MAT12AHZ Datenblatt Seite 11

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MAT12AHZ Technische Daten

HerstellerAnalog Devices Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual) Matched Pair
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic200mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500pA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-78-6 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-78-6

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

ULN2003AIDG4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MMDT4146-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

BC847BV,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

JANTXV2N2919L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/355

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

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