MAQ4123YME-TRVAO
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| Teilenummer | MAQ4123YME-TRVAO |
| PNEDA Teilenummer | MAQ4123YME-TRVAO |
| Beschreibung | IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MAQ4123YME-TRVAO Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MAQ4123YME-TRVAO |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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MAQ4123YME-TRVAO Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 3A, 3A |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 11ns, 11ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4.5A, 4.5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 12ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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