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MAGX-001090-700L0S

MAGX-001090-700L0S

Nur als Referenz

Teilenummer MAGX-001090-700L0S
PNEDA Teilenummer MAGX-001090-700L0S
Beschreibung TRANSISTOR RF 700W GAN
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MAGX-001090-700L0S Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAGX-001090-700L0S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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MAGX-001090-700L0S Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypHEMT
Frequenz1.03GHz ~ 1.09GHz
Gewinn20.5dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)31A
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung700W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244C

Lieferantengerätepaket

CDFM6

CGH35060F2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

47.6dBm

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440193

Lieferantengerätepaket

440193

2N5485_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1250W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

Kürzlich verkauft

MC9S08LC36LK

MC9S08LC36LK

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

S558-5999-M8-F

S558-5999-M8-F

Bel Fuse

MODULE XFRMR LAN GIGABIT 24P SMD

AP2127K-1.8TRG1

AP2127K-1.8TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 1.8V 300MA SOT23-5

FMR0H104ZF

FMR0H104ZF

KEMET

CAPACITOR 0.1F 5.5V RADIAL

ADM3310EACPZ

ADM3310EACPZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 3/5 32LFCSP

BAV99

BAV99

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

1-1825027-7

1-1825027-7

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MAX232EESE+T

MAX232EESE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

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ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

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FMMT718TA

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