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M93S56-WBN6

M93S56-WBN6

Nur als Referenz

Teilenummer M93S56-WBN6
PNEDA Teilenummer M93S56-WBN6
Beschreibung IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

M93S56-WBN6 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM93S56-WBN6
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M93S56-WBN6, M93S56-WBN6 Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 547,29 KB)
PDFM93S66-WMN6T Datenblatt Cover
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M93S56-WBN6 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (128 x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz2MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MT41K256M16LY-093:N TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (7.5x13.5)

IDT71T75702S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

IS43R32400E-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-LFBGA

Lieferantengerätepaket

144-LFBGA (12x12)

IDT71256TTSA25Y

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOJ

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