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M58LT256KSB7ZA6E

M58LT256KSB7ZA6E

Nur als Referenz

Teilenummer M58LT256KSB7ZA6E
PNEDA Teilenummer M58LT256KSB7ZA6E
Beschreibung IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 2.952
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M58LT256KSB7ZA6E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM58LT256KSB7ZA6E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M58LT256KSB7ZA6E, M58LT256KSB7ZA6E Datenblatt (Total Pages: 108, Größe: 1.988,1 KB)
PDFM58LT256KST8ZA6E Datenblatt Cover
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M58LT256KSB7ZA6E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz52MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-TBGA
Lieferantengerätepaket64-TBGA (10x13)

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

10ns

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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