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M50100THC1600

M50100THC1600

Nur als Referenz

Teilenummer M50100THC1600
PNEDA Teilenummer M50100THC1600
Beschreibung DIODE MODULE 1.6KV 100A
Hersteller Sensata-Crydom
Stückpreis
1 ---------- $1.491,1357
50 ---------- $1.421,2388
100 ---------- $1.351,3418
200 ---------- $1.281,4448
400 ---------- $1.223,1973
500 ---------- $1.164,9498
Auf Lager 91
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M50100THC1600 Ressourcen

Marke Sensata-Crydom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM50100THC1600
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
M50100THC1600, M50100THC1600 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 523,2 KB)
PDFM5060TB800 Datenblatt Cover
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M50100THC1600 Technische Daten

HerstellerSensata-Crydom
Serie-
Diodenkonfiguration3 Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 480V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Twin Tower

Lieferantengerätepaket

Twin Tower

BAS4007WE6327BTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

100ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

135A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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