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M29W400DB70N6T TR

M29W400DB70N6T TR

Nur als Referenz

Teilenummer M29W400DB70N6T TR
PNEDA Teilenummer M29W400DB70N6T-TR
Beschreibung IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
Hersteller Micron Technology Inc.
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M29W400DB70N6T TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM29W400DB70N6T TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M29W400DB70N6T TR, M29W400DB70N6T TR Datenblatt (Total Pages: 48, Größe: 922,26 KB)
PDFM29W400DB70ZE6F TR Datenblatt Cover
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M29W400DB70N6T TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße4Mb (512K x 8, 256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

W25Q128JVCIQ

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-TFBGA (6x8)

IS61QDPB451236A-400M3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QUADP

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (15x17)

Hersteller

Macronix

Serie

MX29LV

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA, CSP (6x8)

DSM2190F4V-15K6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.1x19.1)

Kürzlich verkauft

HSMS-2862-TR1G

HSMS-2862-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

UUX1E470MCL1GS

UUX1E470MCL1GS

Nichicon

CAP ALUM 47UF 20% 25V SMD

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

ISL62882CHRTZ

ISL62882CHRTZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 40TQFN

1N5254B

1N5254B

ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 500MW DO35

B560C-13-F

B560C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC

ZTB800J

ZTB800J

ECS

CER RES 800.0000KHZ T/H

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

LTM4625IY#PBF

LTM4625IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 5A

SHT11

SHT11

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V DTL 3% SMD

CDBHD1100L-G

CDBHD1100L-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP