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M27C512-70XF1

M27C512-70XF1

Nur als Referenz

Teilenummer M27C512-70XF1
PNEDA Teilenummer M27C512-70XF1
Beschreibung IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.604
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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M27C512-70XF1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM27C512-70XF1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M27C512-70XF1, M27C512-70XF1 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 268,83 KB)
PDFM27C512-10C6TR Datenblatt Cover
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M27C512-70XF1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEPROM
TechnologieEPROM - UV
Speichergröße512Kb (64K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Lieferantengerätepaket28-CDIP Frit Seal with Window

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

54-VFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (MLC)

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT71V67602S166BQGI8

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

CY7C1355B-100AC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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