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M27C4001-45XF1

M27C4001-45XF1

Nur als Referenz

Teilenummer M27C4001-45XF1
PNEDA Teilenummer M27C4001-45XF1
Beschreibung IC EPROM 4M PARALLEL 32CDIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 17.134
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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M27C4001-45XF1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM27C4001-45XF1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M27C4001-45XF1, M27C4001-45XF1 Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 214,63 KB)
PDFM27C4001-45XF1 Datenblatt Cover
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M27C4001-45XF1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEPROM
TechnologieEPROM - UV
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Lieferantengerätepaket32-CDIP Frit Seal with Window

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30ns

Zugriffszeit

30ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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