M25P128-VME6GB
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| Teilenummer | M25P128-VME6GB |
| PNEDA Teilenummer | M25P128-VME6GB |
| Beschreibung | IC FLASH 128M SPI 54MHZ 8VDFPN |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 55.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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M25P128-VME6GB Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | M25P128-VME6GB |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
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M25P128-VME6GB Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 128Mb (16M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 54MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ms, 5ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.2ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
