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M24M01-DFMN6TP

M24M01-DFMN6TP

Nur als Referenz

Teilenummer M24M01-DFMN6TP
PNEDA Teilenummer M24M01-DFMN6TP
Beschreibung IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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M24M01-DFMN6TP Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM24M01-DFMN6TP
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M24M01-DFMN6TP, M24M01-DFMN6TP Datenblatt (Total Pages: 47, Größe: 828,24 KB)
PDFM24M01-RCS6TP/A Datenblatt Cover
M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 2 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 3 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 4 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 5 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 6 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 7 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 8 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 9 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 10 M24M01-RCS6TP/A Datenblatt Seite 11

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M24M01-DFMN6TP Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit500ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

134-TFBGA (10x11.5)

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Hersteller

Macronix

Serie

MXSMIO™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

750µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-BGA (6x8)

IS42SM32200K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-TFBGA

Lieferantengerätepaket

90-TFBGA (8x13)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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